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威兆專注于大功率MOSFET器件研發設計。產品涉及新型IGBT、超結新型器件、高中低壓場效應管、超低壓降肖特基、快恢復二極管及器件模塊化應用設計;采用最新工藝平臺設計各類新工藝結構產品,致力于提高產品在系統中的能效轉換。威兆專業從事等立器件系列的設計及半導體微電子相關產品研發的高科技企業。憑借多年的與知名電源廠家合作經驗,堅持在分立器件領域深耕,以提升國內分立器件品牌性能競爭力,以及市場占有比例。威兆產品廣泛應用于LED照明,UPS電源系統,太陽能逆變器,鋰電池保護電路,電焊機,高速針式打印機,工業縫紉機,航模電子調速器,大功率直流電機驅動器等。
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型號:
VS6880AT
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):105A(Tc) 漏源電壓(Vdss):68V 柵源極閾值電壓:3.9V @ 250uA 漏源導通電阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 類型:N溝道
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型號:
VSF013N10MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):43A 漏源電壓(Vdss):100V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):47W 類型:N溝道
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電壓電源
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封裝外殼
型號:
VS6038AD
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):25A 漏源電壓(Vdss):60V 柵源極閾值電壓:- 漏源導通電阻:35mΩ @ 25A,60V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 類型:N溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
VS5810AS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):15A 漏源電壓(Vdss):55V 柵源極閾值電壓:3V @ 250uA 漏源導通電阻:12mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 類型:N溝道
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工作溫度
封裝外殼
型號:
VS6640AC
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):2.8A 漏源電壓(Vdss):60V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:107mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 類型:N溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
VS2622AE
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):56A(Tc) 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:1V @ 250uA 漏源導通電阻:7.8mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W(Tc) 類型:N溝道
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型號:
VS3618AE
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):50A(Tc) 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 類型:N溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
VS6038AI
品牌:
威兆半導體
產品分類:
振蕩器
描述:
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型號:
VSW10T45SA
品牌:
威兆半導體
產品分類:
齊納二極管單體
描述:
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封裝外殼
型號:
VST10L100D
品牌:
威兆半導體
產品分類:
齊納二極管單體
描述:
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型號:
VSO025C03MC
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):10A,8A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:29mΩ @ 4A,4.5V;47mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 類型:N溝道和P溝道
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型號:
VST007N07MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):80A 漏源電壓(Vdss):80V 柵源極閾值電壓:2.3V @ 250uA 漏源導通電阻:12mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VS3610AE
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):64A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:7mΩ @ 16A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VS7N65AF
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
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電壓電源
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封裝外殼
型號:
VSO009N06MS-G
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):15A 漏源電壓(Vdss):60V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:19mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VSD004N03MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):150A(Tc) 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:6mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 類型:N溝道
最新賣價
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
VS4N65CD
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
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電壓電源
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封裝外殼
型號:
VS5814DS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):9A 漏源電壓(Vdss):55V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VS3540AC
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):3.4A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:1.2V @ 250uA 漏源導通電阻:70mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 類型:P溝道
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封裝外殼
型號:
VS4602AP
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):220A(Tc) 漏源電壓(Vdss):40V 柵源極閾值電壓:3.9V @ 250uA 漏源導通電阻:2.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VSD007N06MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):85A(Tc) 漏源電壓(Vdss):60V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VS80N08AT
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):83A(Tc) 漏源電壓(Vdss):80V 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導通電阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 類型:N溝道
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型號:
VSP007P06MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
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描述:
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型號:
VSE090N10MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):14A 漏源電壓(Vdss):100V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VS3622DE
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):35A 漏源電壓(Vdss):-30V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:18mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W 類型:雙N溝道
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封裝外殼
型號:
VS2N7002K
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):760mA 漏源電壓(Vdss):60V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 類型:N溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
VS6808DH
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):6A(Tc) 漏源電壓(Vdss):-20V 柵源極閾值電壓:1.2V @ 250uA 漏源導通電阻:23mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W(Tc) 類型:雙N溝道(共漏)
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封裝外殼
型號:
VSD050P10MS
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):34A 漏源電壓(Vdss):100V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 類型:P溝道
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電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
VS4410AT
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):110A(Tc) 漏源電壓(Vdss):100V 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導通電阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W(Tc) 類型:N溝道
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封裝外殼
型號:
VS4518AD
品牌:
威兆半導體
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):33A(Tc) 漏源電壓(Vdss):-40V 柵源極閾值電壓:2.4V @ 250uA 漏源導通電阻:55mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 類型:P溝道
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