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大中集成電路(股)有限公司創立于2008年8月,為一家專業功率半導體組件(MOSFET & IGBT) 及高壓集成電路(HV IC) 的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務,已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前大中集成電路可提供電壓范圍之功率半導體元器件產品(20V~1200V),產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
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條
1
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型號:
SM2690NSCC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
雙極型晶體管單體
描述:
通用三極管
最新賣價
包裝
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系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SM3303PSQGC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
FET/MOSFET 單體
描述:
通用MOSFET
最新賣價
包裝
應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SM8404CSQAC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):6.3A,6A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA 漏源導通電阻:34.5mΩ @ 6.3A,10V;39mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 類型:N溝道和P溝道
最新賣價
包裝
應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SM3381EHQGC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
其他晶體管
描述:
最新賣價
包裝
應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SM2317PSAC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):4.6A 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:1V @ 250uA 漏源導通電阻:48mΩ @ 4.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 類型:P溝道
最新賣價
包裝
應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SM4373NAKPC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
其他晶體管
描述:
連續漏極電流(Id)(25°C 時):70A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導通電阻:4.3mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 類型:N溝道
最新賣價
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應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
型號:
SM2001CSKC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
IGBT陣列
描述:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)
預覽規格書
更多資料 >>
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應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
Tape & Reel
20V
-55°C to 150°C
SOP-8
型號:
SM4831NAKC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
IGBT陣列
描述:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
預覽規格書
更多資料 >>
最新賣價
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應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
Tape & Reel
30V
-55 to 150 oC
SOP-8
型號:
SM1A16PSUC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
IGBT陣列
描述:
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
預覽規格書
更多資料 >>
最新賣價
包裝
應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
Tape & Reel
100V
-55°C to 150°C
TO-252-2
型號:
SM6002NSKPC-TRG
品牌:
大中
產品分類:
IGBT陣列
描述:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
預覽規格書
更多資料 >>
最新賣價
包裝
應用
系列
電壓電源
工作溫度
封裝外殼
Tape & Reel
60V
-55°C to 150°C
DFN5x6A-8_EP
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