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創(chuàng)新是科信發(fā)展的原動(dòng)力，從事SMD表面貼片分立器件生產(chǎn)、研發(fā)、銷售30年，一直專注SMD表面貼片分立器件小型化。公司的產(chǎn)品應(yīng)用于各類愈加智能化與模塊化的電子設(shè)備，如安防、數(shù)碼、智能手機(jī)、工控、汽車和家電。

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正向壓降（Vf）：700mV @ 3A 直流反向耐壓（Vr）：60V 平均整流電流（Io）：3A

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集電極電流Ic：1.5A 額定功率：300mW 晶體管類型：- 集射極擊穿電壓Vce：25V

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SMD Type NPN Transistors

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集電極電流Ic：100mA 額定功率：200mW 晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓Vce：45V

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：2.1A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1.9V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：85mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：12A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：2.8V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：14mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4.1A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：52mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：P溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：55mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：2.8A 漏源電壓（Vdss）：150V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：285mΩ @ 2.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 類型：N溝道

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