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2025-05
使用 AM437x 的 QSPI-NOR 參考設計方案
基于AM437x處理器的QSPI-NOR參考設計方案深度解析在工業自動化、智能終端及物聯網設備中，存儲器的性能與可靠性直接影響系統的整體效率。德州儀器（TI）的AM437x系列處理器憑借其高性能ARM Cortex-A9內核、可編程實時單元（PRU-ICSS）及QSPI-NOR接口，成為工業控制、人機交互（HMI）及實時通信領域的理想選擇......
2025-05
支持觸覺的游戲控制器設計方案
支持觸覺的游戲控制器設計方案隨著游戲產業向沉浸式體驗發展，觸覺反饋技術已成為提升用戶交互體驗的核心要素。傳統控制器依賴偏心旋轉質量電機（ERM）或線性諧振傳動器（LRA）實現基礎振動，但存在響應延遲、頻帶窄、功耗高等局限。本文提出一種融合壓電薄膜、電容觸控與多模態驅動的觸覺控制器方案，通過優化元器件選型與系統架構，實現高頻響應、局部觸感與......
2025-05
TI TIDM－1001數控500W兩相交錯LLC諧振轉換器參考設計方案
TI TIDM-1001數控500W兩相交錯LLC諧振轉換器參考設計方案深度解析在電力電子領域，高效、高功率密度的直流-直流（DC-DC）轉換器是服務器、電信、汽車充電、工業電源等應用中的關鍵組件。TI TIDM-1001數控500W兩相交錯LLC諧振轉換器參考設計，以其卓越的性能和可靠性，成為這些領域的優選方案。本文將詳細解析該參考設計......
2025-05
Infineon 2EDN7(8)52x系列2500W圖騰柱全橋PFC解決方案
Infineon 2EDN7(8)52x系列2500W圖騰柱全橋PFC解決方案深度解析在電力電子技術領域，功率因數校正（PFC）技術對于提高系統效率、降低諧波污染、提升電能質量具有至關重要的作用。隨著半導體技術的飛速發展，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體材料逐漸成為構建高性能PFC電路的核心器件。Infineon ......
2025-05
TI TIDM－02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設計方案
TI TIDM-02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設計方案詳解TIDM-02008是德州儀器（TI）推出的一款基于C2000?實時微控制器和LMG341xR070氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）的雙向高密度CCM圖騰柱PFC參考設計。該方案專為電動汽車（EV）車載充電器、通信設備整流器、驅動系統、焊接設備、工業應用及......
2025-05
TI ADC3660 16位65－MSPS低噪音超低功耗ADC解決方案
TI ADC3660 16位65-MSPS低噪音超低功耗ADC解決方案深度解析在工業自動化、通信系統、國防電子以及醫療設備等領域，高精度、低功耗的模數轉換器（ADC）是數據采集與信號處理的核心組件。德州儀器（TI）推出的ADC3660作為一款16位、65-MSPS雙通道高速ADC，憑借其超低功耗、卓越的噪聲性能以及靈活的架構設計，成為電池......
2025-05
ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅動方案
ST STGAP2SICS電流隔離4A SiC MOSFET柵極驅動方案深度解析在新能源、工業自動化及電動汽車等高功率密度應用領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低導通電阻、高開關速度及耐高溫特性，已成為功率轉換系統的核心器件。然而，SiC MOSFET的驅動需求遠超傳統硅基器件，需要專用的柵極驅動器以實現高效、可靠的功率控制。意法半......
2025-05
Rohm BM2SCQ123T-LBZ準諧振AC-DC轉換器解決方案
Rohm BM2SCQ123T-LBZ準諧振AC-DC轉換器解決方案深度解析在工業設備與消費電子領域，AC-DC轉換器作為電源系統的核心組件，其性能直接影響設備的穩定性、效率及可靠性。Rohm推出的BM2SCQ123T-LBZ準諧振AC-DC轉換器解決方案，憑借其高集成度、低EMI及高效能特性，成為工業輔助電源設計的優選方案。本文將從核心......
2025-05
ST VN9D30Q100F帶24位SPI接口六路高邊驅動器解決方案
ST VN9D30Q100F帶24位SPI接口六路高邊驅動器解決方案在現代汽車電子系統中，隨著功能的日益復雜化和對安全性的更高要求，驅動電路的設計成為關鍵環節。高邊驅動器作為汽車電子負載控制的核心組件，其性能直接影響到系統的可靠性、效率和安全性。意法半導體（ST）推出的VN9D30Q100F六路高邊驅動器，憑借其先進的技術特性和豐富的功能......
2025-05
ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅動器解決方案
ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅動器解決方案深度解析引言：GaN技術引領電源系統革新在電源轉換領域，氮化鎵（GaN）技術憑借其高電子遷移率、高擊穿電壓和低導通損耗等特性，正逐步取代傳統硅基功率器件，成為推動高功率密度、高效率電源系統發展的核心力量。ST（意法半導體）作為全球領先的半導體解決方案提供商，推出的MA......
2025-05
Infineon 2ED4820-EM 48V智能高邊MOSFET柵極驅動器方案
Infineon 2ED4820-EM 48V智能高邊MOSFET柵極驅動器方案深度解析在新能源汽車、工業自動化及可再生能源等領域，48V電氣架構因其高效能、低損耗的特性正逐步成為主流。作為連接控制單元與功率器件的核心組件，柵極驅動器的性能直接決定了系統的可靠性、效率和安全性。Infineon推出的2ED4820-EM智能高邊MOSFET......
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