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連邦科技創立于1996年，為一無晶圓廠的半導體制造商，供應全球性的低功率低耗電靜態隨機存取內存 (SRAM) 。連邦科技所提供的低功率低耗電 SRAM 在工業界里已被廣泛使用，包括行動電話、掌上型計算機 PDA、掌上型衛星導航系統 GPS、掌上型游戲機、條形碼讀取機、電子式備援電池等等。因此，在低功率SRAM的產品上，連邦科技已成為全球性的領導廠商。

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型號：

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型號：

BS62LV4006EIG55/EIP55

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Sram 256k, 32kx8, 2.4-5.5v, sop28

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**DESCRIPTION** The BS62LV1600 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 2048K by 8 bits and operates form a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage. Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high speed and low power features with typical CMOS standby current of 1.5uA at 3.0V/25OC and maximum access time of 55ns at 3.0V/85OC. **FEATURES** Wide VCC operation voltage : 2.4V ~ 5.5V Very low power consumption : ????? VCC = 3.0V Operation current : 46mA (Max.)at 55ns ????????????????????????????????????????????? 2mA (Max.)at 1MHz ?????????????????????? Standby current : 1.5uA (Typ.) at 25 OC ???? ?VCC = 5.0V Operation current : 115mA (Max.)at 55ns ????????????????????????????????????????????? 10mA (Max.)at 1MHz ??????????????????????? Standby current : 6.0uA (Typ.) at 25OC High speed access time : ?? -55 55ns (Max.) at VCC : 3.0~5.5V ?? -70 70ns (Max.) at VCC : 2.7~5.5V Automatic power down when chip is deselected Easy expansion with CE1, CE2 and OE options Three state outputs and TTL compatible Fully static operation Data retention supply voltage as low as 1.5V

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DESCRIPTION The BS62LV1027 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 131,072 by 8 bits and operates form a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage. Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high speed and low power features with typical CMOS standby current of 0.02uA at 3.0V/25OC and maximum access time of 55ns at 3.0V/85OC. FEATURES ?Wide VCC operation voltage : 2.4V ~ 5.5V ?Very low power consumption : ????? VCC = 3.0V Operation current : 18mA (Max.) at 55ns ????????????????????????????????????????????????2mA (Max.) at 1MHz ????????????????????? Standby current : 0.02uA (Typ.)at 25 OC ????? VCC = 5.0V Operation current : 47mA (Max.) at 55ns ?????????????????????????????????????????????? 10mA (Max.) at 1MHz ????????????????????? Standby current : 0.4uA (Typ.) at 25OC ?High speed access time : ?? -55 55ns (Max.) at VCC : 3.0~5.5V ?? -70 70ns (Max.) at VCC : 2.7~5.5V ?Automatic power down when chip is deselected ?Easy expansion with CE2, CE1 and OE options ?Three state outputs and TTL compatible ?Fully static operation ?Data retention supply voltage as low as 1.5V

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DESCRIPTION The BS62LV4006 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 524,288 by 8 bits and operates form a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage. Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high speed and low power features with typical CMOS standby current of 0.25uA at 3.0V/25°C and maximum access time of 55ns at 3.0V/85°C. FEATURES ? Wide VCC operation voltage : 2.4V ~ 5.5V ? Very low power consumption: ????? VCC = 3.0V? Operationcurrent :? 30mA (Max.)? at 55ns ???????????????????????????????????????????????? 2mA (Max.)? at 1MHz ????? Standby current :? 0.25uA (Typ.)? at 25OC ????? VCC = 5.0V? Operationcurrent :? 70mA (Max.)? at 55ns ???????????????????????????????????????????????? 10mA (Max.)? at 1MHz ?????? Standby current :? 1.5uA (Typ.)? at 25OC ??Highspeed access time: -55? 55ns (Max.) at VCC=3.0~5.5V -70? 70ns (Max.) at VCC=2.7~5.5V ? Automatic power down whenchip is deselected

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BS616LV4017EIP70 In Stock, BSI

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